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元件参数资料
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参数目录42190
> R6006ANX MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
型号:
R6006ANX
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
R6006ANX PDF
标准包装
500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 欧姆 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
520pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FM
包装
散装
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